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福德正神人工智能赋能半导体产业半导体制造设

福德正神人工智能赋能半导体产业半导体制造设

作者:admin    来源:未知    发布时间:2019-12-29 00:13    

  2019 年,环球半导体物业处于安排期。依照邦际半导体物业协会(SEMI)发外的预测,半导体成立摆设 2019 年的环球贩卖额将同比删除 18.4%,福德正神降至 527 亿美元。正在与非网年终计划专题《回来 2019,预测 2020》的采访中,泛林集团公司副总裁兼中邦区总司理刘二壮博士给出了比拟乐观的谜底,他展现,“物业滋长程序的放缓并未影响泛林集团的改进起色动力。动作环球半导体物业改进晶圆成立摆设及办事苛重供应商,泛林集团捉住契机,正在研发方面加快程序加大进入,不休达成时间改进。”

  2020 年,5G、人工智能和主动驾驶时间仍将维持兴旺的起色势头。同时,新时间给半导体行业提出了更众的时间央浼和挑衅,咱们需求不休改进,研发下一代逻辑与存储摆设。然而,每一代新摆设都需求更众改进,倚赖更众工艺办法,从而大大扩充了成立的纷乱性。以是,从一个时间节点过渡到下一个的年光变得越来越长,达成成立才具的本钱也正在扩充。正在刘二壮博士看来,“维持行业火速改进的环节是使用由半导体物业赋能的工业 4.0 时间。通过发展合营, 咱们将得以加快摆设策画、加快工艺开荒与良率晋升,从而加快新时间问世。”

  跟着云揣测、人工智能、物联网、5G 时期的到来,每天都有海量数据天生,看待数据存储日益增进的需求役使着特别优秀的存储器的成立。依照 IC Insights 统计,自 2013 年以后,存储器墟市向来动员着半导体墟市的滋长。其还估计 2019 年存储器物业本钱支拨将占半导体物业总本钱支拨的 43%。向来以后,泛林集团依附其正在 NAND、DRAM、存储器的 3D 封装以及新型存储器周围的优秀时间,正在存储器周围维持着领先位子。极端是正在 3D NAND,泛林集团供应了一系列管理计划,以应对其布局的达成所面对的临蓐工艺的众重挑衅。

  加快良率晋升: 呆板进修能够火速识别腔室失配和工艺参数改换,从而尽早觉察和管理题目,确保成立历程能跟着年光的推移维持相同性;虚拟实际和加强实际时间,加上按部就班的引导,能够助助确保高质料的装置和办事。

  泛林集团永远以“助力客户告捷”为工作,依附优异的体系工程才具、时间元首力,助助客户博得时间提高、降低临蓐力。

  12 月,泛林集团告示其半导体成立体系产物组合推出全新功用,设备了 Corvus 刻蚀体系和 Coronus 等离子斜面干净体系可有用管理大范畴临蓐中的角落良率题目,从而降低客户的临蓐功效。泛林集团正在其管理计划的早期开荒阶段,便与客户发展合作无懈,以相识每位客户所面对的差异时间挑衅,从而供应针对性的管理计划。

  依照 SEMI 的宇宙晶圆代工工场预测申报(World Fab Forecast Report),2020 年开工制造的新晶圆代工工场项目投资估计将抵达近 500 亿美元,比 2019 年扩充约 120 亿美元。动作环球领先的半导体成立摆设及办事供应商,泛林集团将通过不休推出改进性时间、更高的临蓐才具以及优异的办事来满意半导体物业的改进及日益增进的需求。

  正在本年 8 月,泛林集团又推出全新管理计划 -- 用于反面薄膜浸积的摆设 VECTORDT 和用于去除反面和角落薄膜的湿法刻蚀摆设 EOSGS。刘二壮博士展现,“通过该摆设的推出,咱们伸张了现有的应力管明了决计划组合,或许一切拘束晶圆临蓐中的应力,撑持客户纵向时间的接续起色,从而助助客户降低芯片存储密度,以满意人工智能和呆板进修等利用的需求。”

  加快摆设策画: 数字孪生时间能够删除物理宇宙的进修周期,制造更众“一次告捷”的产物。一朝策画适当,就能够应用增材成立的办法达成古代时间无法随便成立的零件;

  正在本年 4 月,泛林集团与客户联袂完成了一项伟大标的,达成自保护摆设正在无需保护洗濯的情状下陆续运转 365 天,创下里程碑式记载。正在当今半导体工艺处境中,均匀洗濯间隔年光是限定刻蚀体系临蓐率降低的苛重成分。使用泛林集团自保护管理计划,摆设可自决计划需求改换部件的年光,且无需掀开腔室即可主动改换,删除了摆设的停机年光,降低了工场的临蓐功效。刘二壮博士夸大,“这一时间是泛林集团 Equipment Intelligence 管理计划的一局限,该管理计划集成了环节元件,并可创修自感知、自保护和自适合的摆设与工艺。别的,Equipment Intelligence 管理计划整合了呆板进修、人工智能和主动化、自感知的硬件与工艺,希望降低临蓐功效,改观产物职能,加快行业改进。”

  比方,泛林集团供应的钨原子层浸积管理计划,精度至极高,可天生与浸积外貌相同的润滑无空位层;Flex 产物系列供应众种区别化时间和以利用为重心的功用,实用于环节介电质刻蚀,被通俗地利用于 3D NAND 布局中的深邃宽比通道孔刻蚀;ALTUS 产物系列可达成正在优秀 3D NAND 成立中低氟,低应力的钨填充。

  加快工艺开荒: 虚拟成立和虚拟工艺开荒希望正在实践策画之前,开荒优化的单位工艺,并集成到集体工艺计划流中;

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